.تعداد دانشکاه پیام نه، کارشتاسبی S / مرکز آزمون و سنجش حضرت علی(ع) ارزش هرکس به مزان دنایی و تخصص اوست. گد سری سؤال: یک (۱) تعداد سؤالات: تستی: ۲۰ تشریحی، ۴ زمان آزمون (دقیقه): انستی: ۶۰ نشریخی: ۶۰نام درس: فیزیک حالت جامد ۲ رشته تحصیلی کد درس: کارشناسی فیزیک (حالت جامد)- ۱۱۱۳۰۲۶۱- اگر تمام نوارها به استثنای یک یا دو نوار که اندکی پر یا خالی اند کاملاً پر شده باشند، بلوار چه نوعی است ؟ الف - عایق ب – فلز ج - نیمه رسانا د - ۱ و ۳ ۲- در یک بلور یک بعدی دومین گاف انرژی در چه بردار موجی رخ می دهد ؟k = * -: 2* - دب k = "2 – الف Cl C! C!۳- تعداد برداهای موج مجاز k در منطقه اول بریلوئن یک شبکه مکعبی با تعداد یاخته بسیط N کدام است ؟ 6N –3 2 TE 2N - ب N – الف۴- برای موج ایستاده (H) // در یک شبکه یک بعدی چگالی احتمال کدام است ؟الف – (cos" (E ب- ("")cos(*) -e sin د- ("")sin Gl G! C! G!۵- در مدل الکترون آزاد انرژی الکترونی با بردار موجi = ت: کدام است 2平r平 ーに 平m주 - دب w2Rكrrالف – كmறு? Zmia= тпа?Ch8۶- کدام گزینه در تعریف گاف نواری یک نیمرسانا صحیح است؟ الف- اختلاف انرژی بین بالاترین نقطه نوار رسانش و پایین ترین نقطه نوار ظرفیت است. ب - اختلاف انرژی بین پایین ترین نقطه نوار رسانش بالا ترین نقطه نوار ظرفیت است. ج - اختلاف انرژی بین واسط نوار ظرفیت و وسط نوار رسانش است.د- اختلاف انرژی بین نوار ظرفیت و وسط نوار رسانش است *** .تعداد دانشکاه پیام نه، کارشتاسبی ŽNS مرکز آزمون و سنجش حضرت علی(ع): ارزش هر کس به میزان دانایی و تخصص اوست. گد سری سؤال: یک (۱)تعداد سؤالات: تستی: ۲۰ تشریحی، ۴ زمان آزمون (دقیقه): انستی: ۶۰ نشریخی: ۶۰ نام درس: فیزیک حالت جامد ۲ رشته تحصیلی کد درس: کارشناسی فیزیک (حالت جامد)- ۱۱۱۳۰۲۶۷- کدام گزینه درست است؟ (کامل تر است) الف - لبه های نواری در Si با گذارهای غیر مستقیم به هم مربوط می شوند. ب - لبه های نواری در Ge با گذارهای غیر مستقیم به هم مربوط می شوند. ج - لبه های نواری در In Sb با یک گذار غیر مستقیم به هم مربوط می شوند.د - الف و ب درست است۸- مقدار ---- برابر است با: | الف – T دب - 2LT T a— کدام گزینه صحیح است؟ الف - در یک نیمرسانای ذاتی جرم موثر الکترونهای باند رسانش و حفره های باند ظرقیت همواره با یکدیگر برابر است.ب - در یک نیمرسانای ذاتی تراز فرمی در صفر مطلق نزدیک نوار رسانش قرار دارد.ج - در یک نیمرسانای ذاتی تراز فرمی وسط گاف ممنوع قرار می گیرد اگر جرم موثر الکترونهای باند رسانش و حفره هایباند ظرقیت با یکدیگر برابر باشد.د - در یک نیمرسانای نوع n تعداد الکترونهای باند رسانش و حفره های باند ظرقیت همواره با یکدیگر برابر است *** .تعداد دانشکاه پیام نه، کارشتاسبی S / مرکز آزمون و سنجش حضرت علی(ع) ارزش هرکس به مزان دنایی و تخصص اوست. گد سری سؤال: یک (۱) تعداد سؤالات: تستی: ۲۰ تشریحی، ۴ زمان آزمون (دقیقه): انستی: ۶۰ نشریخی: ۶۰نام درس: فیزیک حالت جامد ۲ رشته تحصیلی کد درس: کارشناسی فیزیک (حالت جامد)- ۱۱۱۳۰۲۶۱۰- کدام گزینه صحیح است؟ الف - جرم موثر الکترون در یک بلور هموارخ مقدار ثابتی است. ب - جرم موثر الکترونها و حفره ها در یک بلور هموارهمساوی است ج - علامت جرم موثر الکترون هماره مثبت است.د - جرم موثر الکترونها کمیتی تانسوری است.۱۱- نشسرط مرزی ویگز-سساتیس کدام است؟الف – 0 =d’y, dro l,lim /(r) = co --۱۲- سطح فرمی سطحی است در فضای ..........که حالتهای ............ را از حالتهای .............. جدا می کند الف - بردار موج - پر - خالی ب - مکان - پر - خالیج - بردار موج - نیمه پر - خالی د – مکان – نيمه پر – خالی *** .تعداد دانشکاه پیام نه، کارشتاسبی ŽNS مرکز آزمون و سنجش حضرت علی(ع): ارزش هر کس به میزان دانایی و تخصص اوست. گد سری سؤال: یک (۱)تعداد سؤالات: تستی: ۲۰ تشریحی، ۴ زمان آزمون (دقیقه): انستی: ۶۰ نشریخی: ۶۰ نام درس: فیزیک حالت جامد ۲ رشته تحصیلی کد درس: کارشناسی فیزیک (حالت جامد)- ۱۱۱۳۰۲۶۱۳- علت ایجاد گافهای انرژی در مرزهای منطقه کدام است؟ (کدام کامل تر است) الف - بر هم کنش الکترون با پتانسیل دوره ای بلور ب - بر هم کنش الکترون با الکترونهای بلور ج - بر هم کنش الکترون با میدانهای الکترو مغناطیسی د – الف و ب۱۴- مساحت یک مدار در فضای K کدام است ؟(n + y,” - الف – )( دب e eb(n +y)* B - * -: ħce۱۵- نوار انرژی با ساختار DCC به صورت C - 2/COSka- = است که در آن 0 , از مقادیر ثابتی هستند، پهنای این نوارکدام است ؟الف – { - ج - 4y۱۶- پوسسته 4f مسئول چه خاصیتی در نمکهای گروه خاکی کمیاب می باشند؟ الف - پارامغناطیسی ب - فرومغناطیسیج - آنتی فرومغناطیسی ***