Enter the password to open this PDF file:
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
.کارشناسی حضرت علی(ع): دانش راهبر نیکویی برای ایمان استزمان آزمون (دقیقه) : تستی : ۶۰ تشریحی : ۶۰ سری سوال : یک ۱= دانشگاه پیام نور مرکز آزمون و سنجشتعداد سوالات : تستی : ۲۰ تشریحی : ۴عنوان درس : فیزیک لایه های نازکرشته تحصیلی / کد درس : فیزیک (حالت جامد) ۱۱۱۳۰۶۵استفاده از ماشین حساب ساده مجاز است۱- ضخامت لایه خیلی نازک در حدود کدام مقدار است ؟۰۲ میلیمتر ۰۳ میکرون ۴. نانومترY– عیب مدل زنگ اخباری در اتاقک خلا واشرهایی برای بستن درب محفظه پایه است که :۱. میزان نشت از دستگاه را افزایش می دهد. ۲. دمارا کاهش می دهد۳. فشار کاهش می یابد و خلا از بین می رود ۴. ضخامت لایه ناگهانی زیاد می شود۳- پمپ های توربومولکولی عموما برای چه کاری به کار می روند؟۲. برای چرخنده های باسرعت کم۴. ذخیره انرژی دراتاقک خلا۱ . به عنوان تله دراتاقک خلا۳. تخلیه اتاقک های بارگذاری۴- در خلا سنج پیرانی برای اندازه گیری دقیق مقاومت از چه عاملی استفاده می شود؟۲. پل وتستون۴. مجموعه خازن های موازی۱. پل تار۳. محموعه خازن های متوالی۵- در طیف سنج جرمی چه پدیده ای رخ می دهد؟۱. دراثر حرکت گاز و برخورد مولکول ها باکره چرخان فشار اندازه گیری می شود.۲. دراثر حرکت گاز و برخورد مولکول ها باکره چرخان چگالی ودما اندازه گیری می شود.اتم های گازی یونیزه ویون هادر میدان مغناطیسی قرار می گیرند وبه حرکت درمی آیند. در برخورد ذرات به صفحه میکا تکانه محاسبه می شود.rt۶- در فرایند تبخیر فیزیکی سرعت تبخیر متصاعد شده در چه حالتی بیشینه است؟۱. ضریب تبخیر برابر یک وفشار هیدروستاتیک بر روی سطح منبع برابر صفر باشد۲. ضریب تبخیر حداقل وفشار هیدروستاتیک بر روی سطح منبع برابر حداکثر باشد۳. ضریب تبخیرحداکثر و فشار هیدروستاتیک بر روی سطح منبع برابرهم حداکثر باشد۴. دما فراتر از دمای اتاق و فشار هیدروستاتیک بر روی سطح منبع برابر یک پاسکال باشدنیمسال دوم ۹۳-۱۳۹۲ = صفحه ۱ از ۴1010/101021246*** .= دانشگاه پیام نور کارشناسی مرکز آزمون و سنجش حضرت علی(ع): دانش راهبر نیکویی برای ایمان است تعداد سوالات : تستی : ۲۰ تشریحی : ۴ زمان آزمون (دقیقه) : تستی : ۶۰ تشریحی : ۶۰ سری سوال : ۱ یکعنوان درس : فیزیک لایه های نازک رشته تحصیلی / کد درس : فیزیک (حالت جامد) ۱۱۱۳۰۶۵۷- درطی لایه نشانی تبخیری مقدار گازبی اثر که به صورت ناخالصی متمرکز می شود(به طور مستقیم) به کدام کمیت هابستگیندارد؟ ۱. وزن مولکولی بخار وفشار بخار ۰۲ وزن مولکولی گازوچگالی لایه ۳. دما و فشار بخار ۴. سرعت لایه نشانی ووزن مولکولی بخار۸- درروش بر آرایی باریکه مولکولی از چه عناصری استفاده می شود؟ ۱. عایق هاوفلزات سبک ۲. ازمیکاو آلومینیوم و تنگستن۳. دی الکتریک هاوفلزات با عدد اتمی سنگین ۲. نیمه رساناهای III-V تا ابررساناهای دما بالا۹- در لایه نشانی به روش کندوپاشی پتانسیل خارجی شارژ کننده هدف چقدر است؟۱. 3 تا 5 ولت ۲. 3 تا 5 کیلوولت ۳. O 22ولت ۴. 220 کیلوولت۱۰- درروش لایه نشانی تبخیر شیمیایی در فشار جوی کدام گزینه درست است؟ ۱. این روش همراه با تخلیه پلاسما است ۲. این روش اغلب برای لایه نشانی الماسی به کار می رود. ۳. این روش نیاز به خلا ندارد۴. عیب این روش آن است که برای تهیه اکسیدها کاربرد ندارد.۱۱- کدام گزینه از دلایل استفاده از روش ضخامت سنجی نوری نمی باشد؟ ۱. برای لایه های شفاف و غیر شفاف کاربرد دارند. ۲. کمترین خطا را دارند. ۳. روش های غیر مخرب هستند. ۴. نتیجه با سرعت کمتری بدست می آید.۱۲- در نظریه هسته سازی موئینگی برای رشد لایه ها، AGT برابر است با:AG, ' AG –AGI " AG + AG, ' (AG, )(AGI) :"ΔG/ ۱۳- در مراحل شکل گیری لایه، متوسط مربع فاصله ای که ذره در مدت روی سطح حرکت می کند بر حسب ضریب پخش D برابر است با: 4Dt . Y. 3Df . Y. 2Df . Y. Dt . ) 1010/101021246 = نیمسال دوم ۹۳-۱۳۹۲ صفحه ۲ از ۴*** .= دانشگاه پیام نور کارشناسی - - - - டிய கள்: مرکز آن عنو سنجش حضرت علی(ع): دانش راهبر نیکویی برای ایمان است زمان آزمون (دقیقه) : تستی : ۶۰ تشریحی : ۶۰ سری سوال : ۱ یکتعداد سوالات : تستی : ۲۰ تشریحی : ۴ عنوان درس : فیزیک لایه های نازک رشته تحصیلی / کد درس : فیزیک (حالت جامد) ۱۱۱۳۰۶۵۱۴- در میکروسکوپ نیروی مغناطیسی : ۲. تغییرات بسامد تشدید کانتی لیور اندازه گیری می شود.۱. شیب های مختلف وقطرنمونه اندازه گیری می شود. ۳. پروب بالایه ای از ماده دیامغناطیسی پوشانده می شود ۴. پروب بالایه ای از ماده دی الکتریک پوشانده می شود۱۵- در بررسی پراش توسط پرتوهای الکترونی پرانرژی : ۱. از الکترون های با انرژی حدود 5 تا 500 الکترون ولت استفاده می شود. ۲. نمی توان ساختار جزیره های در حال رشد را بررسی کرد. ۳. اگر سطح کاملا ناصاف باشد نقش پراش دارای حلقه های هم مرکز می باشد.۲. اگر سطح کاملاصاف باشد نقش پراش دارای خطوط موازی می باشد.۶- رابطه (4) k برحسب طول موج درضخامت سنجی طیفی چگونه تابعی است؟۱. نمایی ۲. خطی ۳. چندجمله ای ۴. سینوسی ۱۷- جریان گسیلی در میکروسکوپ الکترون -میدان (FEM) تابع کدام کمیت ها است؟۱. چگالی لایه و پتانسیل الکتریکی ۲. چگالی لایه و تابع کار ذره۳. میدان الکتریکی و تابع کارذره ۴. شدت فوتون هاوضخامت زیر لایه۱۸- کدام گزینه درست است؟ ۱. فلزات بهترین انتخاب برای تحمل کششی هستند. ۲. فلزات بهترین انتخاب برای تحمل تنش هستند. ۳. تنش ها به ماهیت زیر لایه وابسته هستند. ۴. در لایه های دی الکتریک تنش فشاری به وجود نمی آید.۱۹- درمیدان های خیلی بزرگ برای ضریب هال چه رفتاری پیش بینی می شود؟ ۱. رفتاری با تابع خطی ۲. رفتاری با تابع نمایی ۳. رفتار نوسانی ۴. رفتار عایق گونه۲۰- با استفاده از فرآیندهای بسیار دقیق در مقیاس نانومتر بر روی قطعات سیلیکون و با استفاده کدام عامل قطعات بسیار کوچکبرای اهداف میکروالکترونیکی تهیه می شود؟ ۱. لایه های قلع و آلومینیوم ۲. ایجاد سد شاتکی ٠٢ تداخل کوانتومی وپيوندجوزفسون ۰۴ لیتوگرافی و حکاکی توسط پلاسما سوالات تشریحی exo: Μ.ΥΔ۱- خلا سنج دیافراگمی را توضیح داده اساس کار آن را بنویسید؟صفحه ۳ از ۴نیمسال دوم ۹۳-۱۳۹۲1010/101021246***= دانشگاه پیام نور کارشناسی مرکز آزمون و سنجش .حضرت علی(ع): دانش راهبر نیکویی برای ایمان استتعداد سوالات : تستی : ۲۰ تشریحی : ۴ زمان آزمون (دقیقه) : تستی : ۶۰ تشریحی : ۶۰ سری سوال : ۱ یک عنوان درس : فیزیک لایه های نازک رشته تحصیلی / کد درس : فیزیک (حالت جامد) ۱۱۱۳۰۶۵۲- فن آوری الکترولیز مزیت هایی نسبت به لایه نشانی الکتریکی دارد نام ببرید؟ ۱،۷۵ نمره ۳- تنش گرمایی در هنگام لایه نشانی را توضیح دهید؟ ۱،۷۵ نمره ۴- کاربرد لایه های نازک در آشکارساز فوتورسانا را بیان کنید؟ ۱،۷۵ نمره1010/101021246نیمسال دوم ۹۳-۱۳۹۲ صفحه ۴ از ۴***